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1N6476US中文资料High-Reliability Diodes数据手册Microchip规格书

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厂商型号

1N6476US

参数属性

1N6476US 封装/外壳为SQ-MELF,G;包装为散装;类别为电路保护的TVS-二极管;1N6476US应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF

功能描述

High-Reliability Diodes
TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF

封装外壳

SQ-MELF,G

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-15 15:11:00

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1N6476US规格书详情

描述 Description

This surface mount series of industry recognized voidless-hermetically-sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) designs is military qualified to MIL-PRF-19500/552 and are ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. They provide a Working Peak \"Standoff\" Voltage selection from 5.0 to 51.6 Volts with 1500 W ratings. They are very robust in hard-glass construction and also use an internal metallurgical bond identified as Category I for high reliability applications. The 1500 W series is military qualified to MIL-PRF-19500/552. These devices are also available in axial-leaded packages for thru-hole mounting by deleting the ?US? suffix (see separate data sheet for 1N6469 thru 1N6476A). Microsemi also offers numerous other TVS products to meet higher and lower peak pulse power and voltage ratings in both through-hole and surface-mount packages.

简介

1N6476US属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的1N6476USTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N6476US

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    51.6V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    54V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    78.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    107A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    1500W(1.5kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,G

  • 供应商器件封装:

    G-MELF(D-5C)

  • 描述:

    TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC G-MELF

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