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1N6483数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N6483

参数属性

1N6483 封装/外壳为DO-213AB,MELF(玻璃);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

功能描述

Surface-Mount Glass Passivated Junction Rectifier

封装外壳

DO-213AB,MELF(玻璃)

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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1N6483规格书详情

特性 Features

Superectifier structure for high reliability condition
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop

应用 Application

For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.

技术参数

  • 产品编号:

    1N6483-E3/97

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    8pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-213AB,MELF(玻璃)

  • 供应商器件封装:

    DO-213AB

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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