1N6273A技术资料参数原装现货美高森美第5页-114ic电子网

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1N6273ARL4G	文件：77.48 Kbytes Page：7 Pages	1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors 文件：77.48 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1N6273A	文件：300 bytes Page：1 Pages	TransZorb® Transient Voltage Suppressors 分立 Glass passivated chip junction\nAvailable in unidirectional and bidirectional\n1500 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 %;	Vishay 威世	Vishay
1N6273A	文件：300 bytes Page：1 Pages	10.2V,1500W, TVS	Galaxy 银河微电	Galaxy
1N6273AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transient Voltage Suppressors(TVS)	EIC 灿阳	EIC
1N6273A-E3/54	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6273A-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N6273AHE3/51	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
NO
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Uni-directional
Condition：
10/1000us
PPK(W)：
1500
VRWM(V)max.：
10.2
VBR(V)min.：
11.4
VBR (V)max.：
12.6
VC(V)max.：
16.7
IPP(A)：
89.8
IR(uA)max.：
5
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
瞬态电压抑制二极管

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