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1N6101	文件：549.23 Kbytes Page：1 Pages	Specifications Sheet 文件：549.23 Kbytes 页数：1 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
1N6101_09	文件：64.629 Kbytes Page：4 Pages	ISOLATED DIODE ARRAY 文件：64.629 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N6101_1	文件：261.51 Kbytes Page：2 Pages	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options 文件：261.51 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N6102A	文件：50.01 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 500W 文件：50.01 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6102A	文件：50.16 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 500W 文件：50.16 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6102A_08	文件：50.01 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 500W 文件：50.01 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6102AUS	文件：50.01 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 500W 文件：50.01 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6102AUS	文件：50.16 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressor Diode, 500W 文件：50.16 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6102AUS	文件：482.65 Kbytes Page：5 Pages	Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors 文件：482.65 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N6102US	文件：482.65 Kbytes Page：5 Pages	Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors 文件：482.65 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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技术参数

Peak Pulse Power Dissipation：
500W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum Breakdown Voltage：
6.75V
Maximum Reverse Stand-off Voltage：
5.7V
Maximum Reverse Leakage Current：
50uA
Maximum Peak Pulse Current：
42.4A
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Clamping Voltage：
11.8V
Direction Type：
Bi-Directional
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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