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1N60P	文件：454.91 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N60P	文件：72.98 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N60P	文件：75.86 Kbytes Page：1 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODE	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
1N60P	文件：274.99 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60PisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandahighruggedavalanchecharacteristic.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsofpowe	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60P	文件：184.95 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N60P	文件：360.93 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE FEATURES ◇Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction ◇Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ◇ExtremelylowreversecurrentIR ◇Ultraspeedswitchingcharacteristics ◇Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ◇Satisfactorywavedetectionefficiency ◇	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N60P	文件：123.63 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes ■Features ●VR40V ●IFAV30mA ■Applications ●Useinsuperhighspeedswitchingcircuits,smallcurrentrectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N60P	文件：90.95 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
1N60P	文件：3.55111 Mbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassCasePointContactGermaniumDiode PRODUCTFEATURE 1N60isapointcontactdiodeemployingN-fromGermaniumandgivesanefficientandexcellentlinearitywhenusedinTVimagedetection,FMdetection,radio,AMdetection,etc.	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
1N60PW	文件：233.38 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES •Highreliability •Lowforwardvoltageandreversecurrent APPLICATIONS •Forelectroniccalculator,etc. •Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	1N60G-TN3-R	UTC/友顺	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	1N60G-TND-R	UTC/友顺	23+	TO-252D	63999	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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