| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance • 100 surge tested • -55°C to +150°C • Bi-directional MAXIMUM RATING • Peak Pulse Power (Ppk): 15000 Watts (10 x 1000µs)@25°C (see di 文件:197.55 Kbytes 页数:4 Pages | LITTELFUSE 力特 | LITTELFUSE | ||
1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION 文件:147.93 Kbytes 页数:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5KW 2-Pin DO-13 | NJS | NJS | ||
Package:DO-13;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 30VWM 49.9VC DO13 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | ||
Package:DO-13;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 30VWM 49.9VC DO13 | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP |
产品属性
- 产品编号:
1N6052
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
散装
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
29V
- 电压 - 击穿(最小值):
32.4V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
52V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
29A
- 功率 - 峰值脉冲:
1500W(1.5kW)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-13
- 供应商器件封装:
DO-13
- 描述:
TVS DIODE 29VWM 52VC DO13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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