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1N6052A

Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance • 100 surge tested • -55°C to +150°C • Bi-directional MAXIMUM RATING • Peak Pulse Power (Ppk): 15000 Watts (10 x 1000µs)@25°C (see di

文件:197.55 Kbytes 页数:4 Pages

LITTELFUSE

力特

1N6052A

1500 WATTS PEAK POWER DISSIPATION

文件:147.93 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N6052A

Diode TVS Single Bi-Dir 30V 1.5KW 2-Pin DO-13

NJS

NJS

1N6052A/TR

Package:DO-13;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 30VWM 49.9VC DO13

MICROCHIP

微芯科技

1N6052AE3

Package:DO-13;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 30VWM 49.9VC DO13

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    1N6052

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    29V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    32.4V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    52V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    29A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    1500W(1.5kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-13

  • 供应商器件封装:

    DO-13

  • 描述:

    TVS DIODE 29VWM 52VC DO13

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更多1N6052供应商 更新时间2026-1-17 13:52:00