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1N5822M	文件：127.51 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
1N5822PT	文件：81.02 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT3.0Amperes	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5822RL	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5822RL	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5822RLG	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5822RLG	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5822S	文件：28.16 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5822-T	文件：61.69 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5822-T	文件：56.98 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5822-TB	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

详细参数

型号：
1N5822-AP
制造商：
MCC
制造商全称：
Micro Commercial Components
功能描述：
3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N5822-AP	Micro Commercial Co	25+	DO-201AD	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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