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1N5821M	文件：127.51 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
1N5821RL	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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1N5821S	文件：28.16 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5821-T	文件：56.98 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5821-T	文件：61.69 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5821-TB	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5821-TB	文件：45.79 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

详细参数

型号：
1N5821_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5821_Q供应商更新时间2025-5-23 15:01:00

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