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1N5820-G	文件：69.39 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier ForwardCurrent:3.0AReverseVoltage:20to40V RoHSDevice Features -Fastswitching. -Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highcurrentsurgecapability. -Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengtha	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5820H	文件：54.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5820H	文件：172.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES Halogen-freetype Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Guardringforovervoltageprotection Lowpowerloss,highefficiency,Highsurgecapability *Highcurrentcapability,lowfo	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
1N5820-LFR	文件：120.26 Kbytes Page：2 Pages	3ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●EXTREMELYLOWVF ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●LEADFREE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5820M	文件：127.51 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
1N5820PT	文件：81.02 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT3.0Amperes	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5820RL	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5820RL	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5820RLG	文件：243.87 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5820RLG	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
1N5820-G
制造商：
COMCHIP
制造商全称：
Comchip Technology
功能描述：
Schottky Barrier Rectifier

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