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1N5818A-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features - Epitaxial construction. - Low forward voltage drop. - Metal-Semiconductor junction with guard ring. - High current capability. - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. 文件：77.12 Kbytes 页数：3 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
1N5818-B	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：68.51 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5818-B	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	Guard Ring Die Construction for Transient Protection 文件：46.84 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5818B-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features - Epitaxial construction. - Low forward voltage drop. - Metal-Semiconductor junction with guard ring. - High current capability. - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. 文件：77.12 Kbytes 页数：3 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

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更多1N5818A-G供应商更新时间2025-12-4 15:47:00