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1N5818A-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5818-B	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5818-B	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5818B-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5818-E	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage20to40VForwardCurrent1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardingforovervoltageprotection *Hightempera	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5818FL	文件：545.53 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5818G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5818G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5818G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5818H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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