1N5818B-G中文资料典琦数据手册PDF规格书
1N5818B-G规格书详情
特性 Features
- Epitaxial construction.
- Low forward voltage drop.
- Metal-Semiconductor junction with guard ring.
- High current capability.
- For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SMD |
47875 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
5500 |
原装现货假一赔十 |
询价 | |||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
21+ |
NA |
5500 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
VISHAY |
1031 |
5500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
500 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | |||||
VISHAY/威世 |
23+ |
1138+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY |
22+ |
NA |
3795 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
DIODES |
05+ |
DO214 |
2000 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
询价 |
