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1N5712	文件：433.18 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY DIODES SCHOTTKYDIODES •Forgeneralpurposeapplications •Metal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichisprotected byaPNjunctionguardring.Thelowforwardvoltagedrop andfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5712	文件：536.51 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES Features ●Metal-to-siliconjunction ●Highbreakdownvoltage ●Lowturn-onvoltage ●Ultrafastswitchingspeed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
1N5712	文件：264.7 Kbytes Page：7 Pages	Pico Second Switching Speed Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
1N5712	文件：275.19 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5712	文件：153.85 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal Schottky Diodes Features ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5712	文件：54.79 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
1N5712	文件：58.4 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction •Highbreakdownvoltage •Lowturn-onvoltage •Ultrafastswitchingspeed •PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange •ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N5712	文件：498.37 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Axial Lead Glass Packaged Schottky Diodes DescriptionandApplications Thesesilicondiodesarepackagedinahermeticaxialleadglasspackage.Varioususesincludedetecting,mixingandswitchingatlowpowerlevels.Theyaresuitableforcommercialswitchingalongwithcontrolfunctionsinnarrowbandreceivers.Thesediodescanalso	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5712	文件：447.06 Kbytes Page：3 Pages	SMALL SINGAL SCHOTTKY DIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction •Highbreakdownvoltage •Lowturn-onvoltage •Ultrafastswitchingspeed •PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange •ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5712	文件：580.43 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES FEATURES Metal-to-siliconjunction andpulseapplicationswithbroaddynamicrange Highbreakdownvoltage Lowturn-onvoltage Ultrafastswitchingspeed PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetection	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG

产品属性

产品编号：
1N5712
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
75mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

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