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1N5554中文资料Diode and Rectifier Devices数据手册Microchip规格书

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厂商型号

1N5554

参数属性

1N5554 封装/外壳为B,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

功能描述

Diode and Rectifier Devices
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

封装外壳

B,轴向

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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1N5554规格书详情

描述 Description

This “standard recovery” rectifier diode series is military qualified and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated.  These industry-recognized 5.0 amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category 1” metallurgical bond.  These devices are also available in surface mount MELF package configurations.  Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speed requirements including fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.

简介

1N5554属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5554二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5554

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    B,轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

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