1N5551US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
1N5551US |
参数属性 | 1N5551US 封装/外壳为SQ-MELF,B;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 3A D5B |
功能描述 | Diode and Rectifier Devices |
封装外壳 | SQ-MELF,B |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
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1N5551US规格书详情
描述 Description
This “standard recovery” surface mount rectifier diode series is military qualified and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 5.0 amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category 1” metallurgical bond. These devices are also available in axial-leaded packages for thru-hole mounting. Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speeds.
简介
1N5551US属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5551US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号:
1N5551US
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SQ-MELF,B
- 供应商器件封装:
D-5B
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GSI |
22+ |
DO-41 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
GSI |
21+ |
DO-41 |
1098 |
询价 | |||
GSI |
24+ |
DO-41 |
30000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
CASEE |
120000 |
长期代理优势供应 |
询价 | ||
Vishay |
23+ |
NA |
112 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
- |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
GSI |
21+ |
DO-41 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
VISHAYINTERTECHNOLOGYASI |
24+ |
2000 |
询价 | ||||
MSC |
132 |
公司优势库存 热卖中!!! |
询价 |