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1N5551USE3中文资料Diode and Rectifier Devices数据手册Microchip规格书

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厂商型号

1N5551USE3

参数属性

1N5551USE3 封装/外壳为SQ-MELF,B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:STD RECTIFIER

功能描述

Diode and Rectifier Devices
STD RECTIFIER

封装外壳

SQ-MELF,B

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 8:04:00

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1N5551USE3规格书详情

描述 Description

This “standard recovery” surface mount rectifier diode series is RoHS compliant for lead free applications.  These industry-recognized 5.0 amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category 1” metallurgical bond.  These devices are also available in axial-leaded packages for thru-hole mounting.  Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speeds.  ROHS, PB Free-->  ROHS

简介

1N5551USE3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5551USE3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5551USE3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/420

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,B

  • 供应商器件封装:

    B,SQ-MELF

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    STD RECTIFIER

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
2000
1
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22+
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100000
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