1N5552US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
| 厂商型号 |
1N5552US |
| 参数属性 | 1N5552US 封装/外壳为SQ-MELF，B；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 3A D5B |
| 功能描述 | Half Wave Rectifier Diode - 600V Surface Mount Hermetically Sealed (Standard Recovery) |
| 封装外壳 | SQ-MELF，B |
| 制造商 | Semtech Semtech Corporation |
| 中文名称 | 升特 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:19:00 |
| 人工找货 | 1N5552US价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5552US规格书详情
描述 Description
VR = 600VIF = 5.0Atrr = 2μSVF = 1.0V
特性 Features
• Low reverse leakage current
• Hermetically sealed in fused metal oxide
• Good thermal shock resistance
• Low forward voltage drop
• Avalanche capability
应用 Application
·Military
·Industrial
·Aerospace
技术参数
- 产品编号：
1N5552US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：
D-5B
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
24+ |
SMD |
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