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1N5541AUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5541AUR-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5541B	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5541B	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5541B	文件：295.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5W Zener Diode Features  Sharp Reverse Characteristics  Low Reverse Current Levels  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability Tested Grades. 文件：295.88 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
1N5541B	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES * Low zener noise specified * Low zener impedance * Low leakage current * Hermetically sealed glass package 文件：243.11 Kbytes 页数：2 Pages	JGD 固锝电子	JGD
1N5541B-1	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5541B-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5541BUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5541BUR	文件：333.31 Kbytes Page：3 Pages	Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：333.31 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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技术参数

Case：
DO-35
Configuration/ Description：
Single
PD MAX：
400mW
VZ NOM：
22V
VZ MIN：
20.9V
VZ MAX：
23.1V
ZZT MAX：
100Ω
@IZT：
1mA
IR MAX：
0.01μA
@VR：
19.8V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N554供应商更新时间2026-4-17 18:04:00

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