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1N5369B-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-204AC，DO-15，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 51V 5W DO15	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N5369	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5369	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5369A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5369A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5369A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5369A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5369B	文件：93.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation5W •NominalZ-voltage8.7…200V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.1g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopackseepage1	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5369B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1N5369B	文件：424.92 Kbytes Page：42 Pages	500mWDO-35GlassZenerVoltageRegulatorDiodes 500mWDO-35GlassZenerVoltageRegulatorDiodes GENERALDATAAPPLICABLETOALLSERIESINTHISGROUP500MilliwattHermeticallySealedGlassSiliconZenerDiodes Thisisacompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcap	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
1N5369B	文件：45.55 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N5369B	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
1N5369B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5369B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5369B	文件：428.22 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes •••acompleteseriesof5WattZenerDiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon-oxide-passivatedjunctions.Allthisisinanaxial-lead,transfer-moldedplasticpackagethatoffersprote	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
1N5369B	文件：63.53 Kbytes Page：3 Pages	5WZENERDIODE Features •VoltageRange8.2V-200V •GlassPassivatedJunction •5WSteadyState •HighSurgeCapability •±5VoltageToleranceonNominalVZisStandard •100Tested	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N5369B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron 赛米控	Semikron
1N5369B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W51VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5369B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N5369B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
1N5369B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
描述：
DIODE ZENER 51V 5W DO15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5369B-TP	Micro	1942+	N/A	3282	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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更多1N5369B-TP供应商更新时间2024-5-16 16:30:00

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