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1N4532	文件：66.55 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODES FEATURES : • High switching speed: max. 4 ns • Continuous reverse voltage:max. 75 V • Repetitive peak reverse voltage:max. 75 V • Repetitive peak forward current:max. 450 mA. • Pb / RoHS Free 文件：66.55 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
1N4532	文件：127.38 Kbytes Page：9 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The 1N4531, 1N4532 are high-speed switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD68 (DO-34) packages. FEATURES • Hermetically sealed leaded glass SOD68 (DO-34) package • High switching speed: max. 4 ns • Continuous re 文件：127.38 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
1N4532	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N4532	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N4532	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N4532	文件：118.08 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES Fast Switching Diode 文件：118.08 Kbytes 页数：1 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1N4532	文件：309.12 Kbytes Page：10 Pages	High-speed diodes FEATURES •Hermetically sealed leaded glass SOD68 (DO-34) package •High switching speed: max. 4 ns •Continuous reverse voltage: max. 75 V •Repetitive peak reverse voltage: max. 75 V •Repetitive peak forward current: max. 450 mA. 文件：309.12 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
1N4534	文件：78.45 Kbytes Page：1 Pages	FAST RECTIFIER Description: Fast Rectifier, 100mA 文件：78.45 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N4534	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTER DIODE Switching 文件：147.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N4534	文件：96.05 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE 文件：96.05 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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技术参数

Peak Reverse Current：
10@6VuA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
0.5A
Peak Forward Voltage：
1V
Operating Junction Temperature：
-65 to 100°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
80mW
Maximum Operating Temperature：
100°C
Maximum Continuous Forward Current：
0.1A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	1N45	TOSHIBA	12+	TO-252	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N459A	NS	24+		300		询价
深圳市联世界科技有限公司	1N4531T73	ROHM	24+/25+		200	原装正品现货库存价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	1N4553B	SSI	23+	铁帽(TO-5)	5000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市弘为电子有限公司	1N4562C	MSC	24+	原厂封装	859	原装现货假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	1N4574A	APD	24+	DO-35	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市达恩科技有限公司	1N4579	APD	24+		2177	进口原装正品优势供应	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	1N459TR	Fairchild	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	1N4532JANTX	MICROSEMI	24+	SMD	1680	MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十	询价

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