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1N4148	文件：128.15 Kbytes Page：9 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The1N4148and1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •HermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Generalapplica	ETC	ETC
1N4148	文件：83.32 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING DIODES SWITCHINGDIODESVOLTAGE100VoltsPOWER500mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •ElectricallyldenticaltoStanderdJEDEC •HighConductance •AxialleadPackageldeallySuitedforAutomaticlnsertion. •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4148	文件：478.06 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER FEATURES •SiliconEpitaxialPlanarDiode •Fastswitchingdiode •Thisdiodeisalsoavailableinother casestylesincluding:theSOD-123 casewiththetypedesignation 1N4448W,theMiniMELFcasewiththe typedesignationLL4448,andtheSOT23 casewiththetypedesignatio	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1N4148	文件：57.87 Kbytes Page：8 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
1N4148	文件：69.26 Kbytes Page：7 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
1N4148	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switching diode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4148	文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages	Switching diode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4148	文件：231.18 Kbytes Page：4 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
1N4148	文件：256.079 Kbytes Page：4 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE ThisdiodeisalsoavailableinMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4148. Applications •High-speedswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4148	文件：247.86 Kbytes Page：2 Pages	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE FEATURES ♦Siliconepitaxialplanardiode ♦Switchingdiodes ♦500mwpowerdissipation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE

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产品属性

产品编号：
1N4148
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
300mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

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