1N4006G-T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
1N4006G-T |
参数属性 | 1N4006G-T 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
功能描述 | 1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
封装外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
文件大小 |
95.23 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
人工找货 | 1N4006G-T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
1N4006G-T
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
8pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AL,DO-41,轴向
- 供应商器件封装:
DO-41
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RECTRON |
24+ |
NA/ |
5550 |
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询价 | ||
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21+ |
DO-41 |
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DIODES/美台 |
23+ |
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DIODES/美台 |
23+ |
DO-41 |
25630 |
原装正品 |
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LITE |
N/A |
3543 |
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