首页>1N4006GP>规格书详情

1N4006GP分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N4006GP
厂商型号

1N4006GP

参数属性

1N4006GP 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

功能描述

Glass Passivated Junction Rectifier

封装外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

文件大小

81.34 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-6 15:03:00

人工找货

1N4006GP价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

1N4006GP规格书详情

Glass Passivated Junction Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability application

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current, typical IRless than 0.1 μA

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

    For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and  freewheeling diodes for both consumer and automotive applications.

产品属性

  • 产品编号:

    1N4006GP

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
23+
DO-41
25630
原装正品
询价
GENERALSEMICONDUCTOR
23+
7684
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
Vishay
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
TAIWANSEMI
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
DIODES/美台
24+
DO-41
25000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
DIODES/美台
21+
DO-41
8080
只做原装,质量保证
询价
Diodes
24+
DO-41
7500
询价
LITE
N/A
3543
询价
DIODES/美台
20+
SMD
88800
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES/美台
25
DO-41
6000
原装正品
询价