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1N4006-G分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N4006-G
厂商型号

1N4006-G

参数属性

1N4006-G 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

功能描述

General Purpose Rectifier
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

文件大小

97.33 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Comchip Technology
企业简称

COMCHIP典琦

中文名称

典琦科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 20:00:00

1N4006-G规格书详情

Voltage: 50 to 1000 V Current: 1.0 A

RoHS Device

Features

- Low cost construction.

- Fast forward voltage drop.

- Low reverse leakage.

- High forward surge current capability.

- High soldering temperature guarantee: 260 OC/10

seconds, 0.375”(9.5mm) lead length at 5lbs(2.3kg)

tension.

1N4006-G属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。典琦科技股份有限公司制造生产的1N4006-G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1N4006-G

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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