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1N4006GP分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N4006GP
厂商型号

1N4006GP

参数属性

1N4006GP 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

功能描述

1 Amp Glass Passivated Rectifier 50-1000 Volts

封装外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

文件大小

47.31 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Shanghai Lunsure Electronic Tech
企业简称

CHENYI商朗电子

中文名称

上海商朗电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:39:00

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1N4006GP规格书详情

特性 Features

· Glass Passivated Junction

· Low Current Leakage

· Metalurgically Bonded Construction

· Low Cost

Maximum Ratings

· Operating Temperature: -55°C to +150°C

· Storage Temperature: -55°C to +150°C

· Maximum Thermal Resistance; 20°C/W Junction To Lead

产品属性

  • 产品编号:

    1N4006GP

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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