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1N3883R	文件：411.05 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Fast Recovery Diode 文件：411.05 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N3883R	文件：736.31 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Fast Recovery Diode 文件：736.31 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N3889	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Fast Recovery Diode 文件：756.99 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N3889	文件：725.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Fast Recovery Diode 文件：725.13 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N3889	文件：110.53 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY RECTIIFER 文件：110.53 Kbytes 页数：2 Pages	DIGITRON	DIGITRON
1N3889	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A 文件：147.89 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N3889	文件：140 Kbytes Page：9 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A 文件：140 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N3889	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier 文件：120.36 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N3889	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A 文件：2.0733 Mbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N3889_07	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	Fast Recovery Rectifier 文件：120.36 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
100V
Peak Reverse Recovery Time：
200ns
Peak Reverse Current：
15uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
200A
Peak Forward Voltage：
1.4@20AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 175°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Continuous Forward Current：
6A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	1N3881	SOLSTAT	24+/25+		144	原装正品现货库存价优	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N3881	VishayIR	24+	DO-4Stud(DO-203AA	367		询价
深圳市弘为电子有限公司	1N3880	IR/MOT	24+	DO-4	1550	原装现货假一罚十	询价
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深圳市振宏微科技有限公司	1N3882AR	NJSEMI	23+	NA	1410	专做原装正品,假一罚百!	询价
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