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1N32S5

HIGH VOLTAGE GLASS RECTIFIERS

文件:81.79 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N32S8A

Silicon Power Rectifier

文件:89.19 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N3208R

Diode and Rectifier Devices

40A,200V-1200V Standard Recovery Rectifier in DO5 package

Microchip

微芯科技

1N3206

Diode Switching 100V 0.01A 2-Pin Case H

NJS

新泽西半导体

1N3208

15 Amp Stud-mounted Silicon Rectifier Diodes

Infineon

英飞凌

1N3208

包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:STANDARD RECTIFIER

MICROCHIP

微芯科技

1N3208R

包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:STANDARD RECTIFIER

MICROCHIP

微芯科技

1N3208R

Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

技术参数

  • Peak Reverse Current:

    75uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current:

    5000A

  • Peak Forward Voltage:

    1.3@300AV

  • Operating Junction Temperature:

    -65 to 190°C

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Maximum Operating Temperature:

    190°C

  • Maximum Continuous Forward Current:

    275A

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NO
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DO-5
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更多1N32供应商 更新时间2026-4-17 16:30:00