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1N100	文件：62.05 Kbytes Page：1 Pages	Optimized for Radio Frequency Response OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N100	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N100	文件：70.81 Kbytes Page：1 Pages	GOLD BONDED GERMANIUM DIODE [BKCInternationalElectronicsInc.] GOLDBONDEDDIODES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N100	文件：442.88 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM AND LOW VOLTAGE GERMANIUM DIODES MEDIUMANDLOWVOLTAGEGERMANIUMDIODES	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
1N100A	文件：62.05 Kbytes Page：1 Pages	Optimized for Radio Frequency Response OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N100A	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N100A	文件：41.79 Kbytes Page：1 Pages	JEDEC DO-7 PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N100A	文件：136.03 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM DIODES GoldBondedGermaniumDiodesinDO-7Package	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N100A	文件：71.49 Kbytes Page：1 Pages	germanium signal diode germaniumsignaldiode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N102	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N103	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N104	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N1064	文件：141.78 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1064	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1064	文件：93.92 Kbytes Page：1 Pages	Si Rectifiers Description:SiRectifiers,2A	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1065	文件：141.78 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1065	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1066	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1066	文件：141.78 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1067	文件：141.78 Kbytes Page：2 Pages	SILICON POWER RECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
1N10
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
Optimized for Radio Frequency Response

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	1N100	ITT			2		询价
深圳市科芯源微电子有限公司	1N100	中宝	24+	DO35	98000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	1N100A		23+	N/A	49200	正品授权货源可靠	询价
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深圳市华博特电子有限公司	1N100G-TN3-T	UTC	23/22+	TO252	6000	20年老代理.原厂技术支持	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	1N103	日立/ST	2021+	DIPSMD	26000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
上海金庆电子技术有限公司	1N106	ANY	新		422	全新原装货期两周	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	1N1064	MICROSEMI	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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更多1N10供应商更新时间2024-5-3 16:20:00

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