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1N1187R	文件：703.86 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability Features • High Surge Capability • Types from 50 to 300 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：703.86 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N1187R	文件：407.24 Kbytes Page：2 Pages	DEVICE HIGH POWER STANDARD Features • High Surge Capability • Types up to 1000 V 文件：407.24 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
1N1187R	文件：770.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：770.26 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N1187R	文件：722.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：722.79 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N1187RA	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N1187R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Standard Recovery Rectifiers	Navitas 纳微半导体	Navitas
1N1187R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：STANDARD RECTIFIER	Microchip 微芯科技	Microchip
1N1187R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AB，DO-5，接线柱；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor

更多1N1187R供应商更新时间2025-12-1 8:01:00