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1N1188RA	文件：531.91 Kbytes Page：8 Pages	Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A, 40 A, 60 A DESCRIPTION/FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Can be supplied to meet stringent military, aerospace, and other high reliability requirements • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：531.91 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N1188RA	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
JAN1N1188	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts 文件：113.39 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JAN1N1188R	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts 文件：113.39 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTX1N1188	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts 文件：113.39 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
1N1188RA
功能描述：
DIODE STD REC 400V 40A DO-5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N1188RA供应商更新时间2026-1-27 8:01:00

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