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JAN1N1188

Military Silicon Power Rectifier

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts

文件:113.39 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JAN1N1188

Rectifier Diode Switching 2-Pin 400V, 40A DO-5 Tray

Glass passivated die. \n800A surge rating. \nGlass to metal construction. \nVRRM to 1000V. \nLow cost non-RoHS package.;

Microchip

微芯科技

JAN1N1188

Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

MICROCHIP

微芯科技

JAN1N1188R

Military Silicon Power Rectifier

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts

文件:113.39 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JAN1N1188R

Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    JAN1N1188

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MSC
24+
DO-5
4
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MICROSEMI
638
原装正品
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更多JAN1N1188供应商 更新时间2026-1-26 13:30:00