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JAN1N1190R	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN1N1190R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N1190	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1190	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1190	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N1190	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1190	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1190	文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1190	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1190	文件：123.92 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1190	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1190	文件：724.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1190	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A Features •Glasspassivateddie •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Lowleakagecurrent •NormalandReversepolarity •MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
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1N1190	文件：705.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1190	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1190A	文件：423.44 Kbytes Page：2 Pages	DEVICEHIGHPOWERSTANDARD Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
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1N1190A	文件：711.74 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1190A	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
JAN1N1190R
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/297
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-5
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多JAN1N1190R供应商更新时间2024-5-16 15:00:00

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