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JANTX1N1190R分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

JANTX1N1190R
厂商型号

JANTX1N1190R

参数属性

JANTX1N1190R 封装/外壳为DO-203AB,DO-5,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

功能描述

Military Silicon Power Rectifier

封装外壳

DO-203AB,DO-5,接线柱

文件大小

113.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-12 17:20:00

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JANTX1N1190R规格书详情

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/297

• Glass Passivated Die

• Glass to Metal Seal Construction

• 500 Amps Surge Rating

• VRRM to 1000 Volts

产品属性

  • 产品编号:

    JANTX1N1190R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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