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MM3Z3V3	文件：537.22 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1F；Silicon Planar Zener Diodes FEATURES • Total power dissipation: Max. 200mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±5 文件：537.22 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
PMST5550	文件：131.42 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1F；Package：SOT323；NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • Switching and amplification in high voltage applications such as telephony. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT323 plastic package. PNP complement: PMST5401. 文件：131.42 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC847B	文件：1.35798 Mbytes Page：5 Pages	丝印：1F；Package：SOT-23；NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.35798 Mbytes 页数：5 Pages	JINGHENG 晶恒	JINGHENG
BC847B	文件：450.11 Kbytes Page：6 Pages	丝印：1F；Package：SOT-23；Ideally suited for automatic insertion 文件：450.11 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
BC847BL3	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	丝印：1F；Package：TSLP-3-1；NPN Silicon AF Transistors 文件：183.85 Kbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC847BQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	丝印：1F；Package：SOT-23；NPN General Purpose Amplifier 文件：253.45 Kbytes 页数：5 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
BC847BT	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	丝印：1F；Package：SOT-416；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：131.51 Kbytes 页数：18 Pages	PHI PHI	PHI
BC847BT	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1F；Package：SOT-416；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：104.72 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BC847BT	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1F；Package：SOT-416；45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors 文件：104.72 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BC847BWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	丝印：1F；Package：SOT-323；NPN General Purpose Amplifier 文件：876.94 Kbytes 页数：5 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

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技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
200
hFE Max：
450
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.2
Package Type：
SC-75-3

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