丝印：1EDN7146U；Package：PG-TSNP-7-11；200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features • Optimized for driving GaN SG HEMTs and Si MOSFETs • Fully diferential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side or high-side operation • High common-mode input voltage range (CMR) up to ± 200 V for high side operation • High immunity to common-mode voltage transi

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200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features • Optimized for driving GaN SG HEMTs and Si MOSFETs • Fully diferential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side or high-side operation • High common-mode input voltage range (CMR) up to ± 200 V for high side operation • High immunity to common-mode voltage transi

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适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的 200 V 高侧 TDI 栅极驱动器 IC

1EDN7146U 是一款单通道栅极驱动器 IC，专门针对驱动英飞凌 CoolGaN ™肖特基栅极 (SG) HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 进行了优化。该栅极驱动器包含多项关键功能，可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计，包括真正差分输入 (TDI)、0.5 A 峰值拉电流和灌电流、有源米勒钳位和自举电压钳位。 • 全差分逻辑输入电路，可避免低侧或高侧操作中的误触发\n• 高共模压摆率免疫力 (100 V/ns)，可在快速开关瞬变期间实现稳健运行\n• 0.5拉/灌电流能力\n• 有源自举钳位\n• 符合 JEDEC 目标应用要求;

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

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