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1EDI60N12AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, short circuit clamping, and separate sink/source outputs EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies using CoolMOS™ in 3- and 4-pin packages • Separate source/sink output (Vsupply: 35V)\n• Iout: 6A @ 15V\n• 1200V Coreless Transformer IC with galvanic isolation\n• Prop. delay <105ns with 40ns input filter time\n• High CMTI robustness >100kV/µs\n• Separate source/sink output\n• Small package DSO-8 150mil\n\n优势:\n• Tailored for all 650V Coo;	Infineon 英飞凌	Infineon
1EDI60N12AF	文件：1.98075 Mbytes Page：22 Pages	Separate output variant for MOSFET 文件：1.98075 Mbytes 页数：22 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI60N12AFXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：隔离器隔离器 - 栅极驱动器描述：IC IGBT DVR 1200V DSO8	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI60N12AF	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	INFINEON 英飞凌上传：深圳市维尔达电子有限公司	INFINEON
1EDN7146GXTMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	PG-VSON-10	INFINEON/英飞凌上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
1200 V
Output Current Source min：
6 A
Output Current Source：
10 A
Output Current Sink min：
6 A
Output Current Sink：
9.4 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Galvanic isolation - Functional
Switch Type：
MOSFET/SiC MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
2.75 V
UVLO Output Off：
8.5 V
Turn On Propagation Delay max：
142 ns
Turn On Propagation Delay：
120 ns
Turn On Propagation Delay min：
95 ns
Turn Off Propagation Delay max：
150 ns
Turn Off Propagation Delay：
125 ns
Turn Off Propagation Delay min：
105 ns
Input Vcc min：
3.1 V
Input Vcc max：
17 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
35 V
Rise Time max：
20 ns
Rise Time：
10 ns
Rise Time min：
5 ns
Fall Time max：
19 ns
Fall Time：
9 ns
Fall Time min：
4 ns
UVLO Input On：
2.85 V
UVLO Output On：
9.1 V

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