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1EDI10I12MF	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, active Miller clamp, and short circuit clamping 单通道 IGBT 驱动器，提供高达 1A 的输出电流以及一个具有相同额定电流的集成有源米勒箝位电路，以防止寄生导通。 • 电位隔离\n• 适用于 600 V / 650 V / 1200 V IGBT\n• 1A 低峰值轨到轨输出电流\n• 有源米勒箝\n\n优势:\n• 较宽的输入电压工作范围\n• 适用于在高环境温度下工作;	Infineon 英飞凌	Infineon
1EDI10I12MF	文件：1.99484 Mbytes Page：22 Pages	Output with Clamp variant for IGBT 文件：1.99484 Mbytes 页数：22 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI10I12MFXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：隔离器隔离器 - 栅极驱动器描述：IC IGBT DVR 1200V DSO8	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI10I12MH	文件：513.169 Kbytes Page：18 Pages	EiceDRIVER??1EDI Compact 文件：513.169 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI10I12MH	文件：223.99 Kbytes Page：2 Pages	1200 V galvanically isolated single-channel wide body gate driver IC family 文件：223.99 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDI10I12MH	文件：509.32 Kbytes Page：18 Pages	Single channel IGBT gate driver IC with clamp in wide body package 文件：509.32 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
1200 V
Output Current Source min：
1 A
Output Current Source：
2.2 A
Output Current Sink min：
1 A
Output Current Sink：
2.3 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Galvanic isolation - Functional
Switch Type：
IGBT/SiC MOSFET
Package name：
PG-DSO-8
UVLO Input Off：
2.75 V
UVLO Output Off：
11.1 V
Turn On Propagation Delay max：
330 ns
Turn On Propagation Delay：
300 ns
Turn On Propagation Delay min：
270 ns
Turn Off Propagation Delay max：
330 ns
Turn Off Propagation Delay：
300 ns
Turn Off Propagation Delay min：
270 ns
Input Vcc min：
3.1 V
Input Vcc max：
17 V
Output Vbs min：
13 V
Output Vbs max：
18 V
Rise Time max：
19 ns
Rise Time：
9 ns
Rise Time min：
5 ns
Fall Time max：
15 ns
Fall Time：
6 ns
Fall Time min：
3 ns
UVLO Input On：
2.85 V
UVLO Output On：
12 V

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