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MAX1951EVKIT	文件：102.23 Kbytes Page：3 Pages	NoExternalSchottkyDiodeRequired	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MDD1951	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,17.9A,45.0m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1951RH	文件：988.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MDD1951RH	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,17.9A,45.0m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1951RH	文件：353.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDS1951	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDS1951URH	文件：813.35 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-ChannelTrenchMOSFET60V,6A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951B	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDV1951BURH	文件：1.11876 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET60V,12A,45m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MGF1951A	文件：28.87 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerMicrowaveMESFET DESCRIPTION TheMGF1951Aisa20mWMESFETforS-toKu-banddriveramplifiersandoscillators. Itslead-lessceramicpackageassuresminimumparasitics. FEATURES •HighGainandHighOutputPowerGLP=9dB,P1dB=13dBm(typ)@f=12GHz •LeadlessCeramicPackage APPLICATION S-	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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详细参数

型号：
1951A
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
Medium Power Microwave MESFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1951A供应商更新时间2025-7-25 9:31:00

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