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BFR193	文件：514.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNBipolarRFTransistor NPNBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR193	文件：632.42 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR193F	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR193F	文件：542.07 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR193T	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193T	文件：70.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR193T	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193T	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TF	文件：146.84 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TW	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
193T
制造商：
Hammond Manufacturing
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
193
包装：
散装
容差：
±15%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
700 毫欧
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
非标准
大小 / 尺寸：
2.500" 长 x 2.750" 宽（63.50mm x 69.85mm）
高度 - 安装（最大值）：
3.060"（77.72mm）
描述：
FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS

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