BFR193分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	BFR193
参数属性	BFR193 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
功能描述	NPN Bipolar RF Transistor RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
丝印标识	RCs
封装外壳	SOT-23 / SOT-723
文件大小	514.48 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-10 9:38:00
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BFR193规格书详情

BFR193属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFR193晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Bipolar RF Transistor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

• For linear broadband amplifiers

• fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualification report according to AEC-Q101 available

产品属性

产品编号：
BFR193FH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益：
12.5dB
功率 - 最大值：
580mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
PG-TSFP-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

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