BFR193资料使用说明书供应代理英飞凌-114ic电子网

首页 >BFR193>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
BFR193	文件：514.48 Kbytes Page：6 Pages	NPN Bipolar RF Transistor NPNBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193	文件：56.92 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHzF=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd
BFR193	文件：80.25 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPNBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193	文件：78.29 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193	文件：632.42 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193E6327	文件：514.48 Kbytes Page：6 Pages	NPN Bipolar RF Transistor NPNBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193F	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193L3	文件：49.38 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193T	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技
BFR193T	文件：70.12 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193TF	文件：146.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature	VishayVishay Siliconix 威世科技
BFR193TW	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技
BFR193W	文件：56.88 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd
BFR193W	文件：80.59 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193_07	文件：78.29 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193_14	文件：632.42 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193F	文件：542.07 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193F_13	文件：542.07 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193L3	文件：51.84 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BFR193L3	文件：501.19 Kbytes Page：6 Pages	For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

12 >>>

晶体管资料

型号：
BFR193
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_宽频带
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.08A
最大工作频率：
8GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3356,2SC3445,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
.08
wtest：
0

详细参数

型号：
BFR193
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon RF Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	BFR193	INFINEON/英飞凌	2019+	SOT-23	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	BFR193	Infineon/英飞凌	22+	SOT-23	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	BFR193	INFINEON/英飞凌	22+	SOT23	600000	航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BFR193	Infineon(英飞凌)	23+	NA	7000	原装正品!假一罚十!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BFR193	INFINEON/英飞凌	20+	SOT-23	200000	原装正品可含税交易	询价
深圳市特莱科技有限公司	BFR193	INFINEON/英飞凌	21+23+	SOT-23	3000	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	BFR193	INFINEON/英飞凌		SOT23	7906200		询价
深圳市金嘉锐电子有限公司	BFR193	INFINEON	2024+	SOT-23	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFR193	Infineon(英飞凌)	23+	SOT-23	37048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	BFR193	Infineon(英飞凌)	23+	SOT-23	41316	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价

更多BFR193供应商更新时间2024-4-28 16:04:00

晶体管资料

详细参数

相关规格书

相关库存