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193T	文件：158.26 Kbytes Page：1 Pages	INDUCTOR	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
193T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：非标准；包装：散装类别：电感器，线圈，扼流圈固定电感器描述：FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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ADXL193	文件：180.46 Kbytes Page：12 Pages	Single-Axis,High-g,iMEMSAccelerometers GENERALDESCRIPTION TheADXL193isalowpower,completesingle-axisaccelerometerwithsignalconditionedvoltageoutputsthatareallonasinglemonolithicIC.Thisproductmeasuresaccelerationwithafull-scalerangeof±120gor±250g(minimum).Itcanalsomeasurebothdynamicaccelerat	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AS193I-BK	文件：532.47 Kbytes Page：1 Pages	NECLCD19DesktopDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AXP193	文件：1.12122 Mbytes Page：51 Pages	EnhancedsingleCellLi-BatteryandPowerSystemManagementIC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
193T
制造商：
Hammond Manufacturing
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
193
包装：
散装
容差：
±15%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
700 毫欧
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
非标准
大小 / 尺寸：
2.500" 长 x 2.750" 宽（63.50mm x 69.85mm）
高度 - 安装（最大值）：
3.060"（77.72mm）
描述：
FIXED IND 50MH 2A 700 MOHM CHASS

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