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18N60	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHV HIPERFET POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul 文件：143.41 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60	文件：61.05 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching • FEATURES • Drain Current ID= 18A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) • Fast Switching • APPLICATIONS • Switch mode power supply. 文件：61.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
18N60G-T47-T	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHV HIPERFET POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul 文件：143.41 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60L-T47-T	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHV HIPERFET POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul 文件：143.41 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60M2	文件：513.5 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device 文件：513.5 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
18N60-T47-T	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHV HIPERFET POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul 文件：143.41 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60	文件：147.67 Kbytes Page：3 Pages	18A,600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：147.67 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60	文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages	600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：147.42 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N60	文件：325.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：325.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
18N60_10	文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages	600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：147.42 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Vdss(V)：
600
Vgss(V)：
30
Id(A)：
18
Package：
TO-3PTO-247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	18N60L	ON	23+	TO-252	5000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市跃创芯科技有限公司	18N60L-T47-T	UTC/友顺	2022+	TO-247	30000	进口原装现货供应,绝对原装假一罚十	询价
深圳庞田科技有限公司	18N60L-T47-T	UTC/友顺	2023+	TO-247	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	18N60M2	ST/意法	23+	DFN-85x6	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市外芯人半导体有限公司	18N60DM2	ST	24+	TO-220	200000	原装进口正口,支持样品	询价
天津市博通航睿技术有限公司	18N60L-TA3-T	INFINEON	23+	TO-220	7000		询价

更多18N6供应商更新时间2026-3-12 10:03:00

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