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170M1650

型号:IMBF170R650M1;Package:PG-TO263-7;CoolSiC??1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

170M1650

型号:IMWH170R650M1;Package:PG-TO247-3-STD-NN4.8;CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=1700VatTvj=25°C •IDDC=7.5AatTC=25°C •RDS(on)=650mΩatVGS=12V,Tvj=25°C •Optimizedforfly-backtopologies •12V/0Vgate-sourcevoltagecompatiblewithmostfly-backcontrollers •Verylowswitchinglosses •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多170M1650供应商 更新时间2025-7-29 15:53:00