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丝印：1510FX；Package：ISOWATT218FX；High voltage fast-switching NPN Power transistor Description The device is manufactured using Diffused Collector in Planar technology adopting new and enhanced high voltage structure 1 (E.H.V.S.1). General features ■ State-of-the-art technology: – Diffused collector “Enhanced generation” EHVS1 ■ More stable performances versus operating 文件：189.52 Kbytes 页数：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
1510FX | High voltage fast-switching NPN Power transistor Description The device is manufactured using Diffused Collector in Planar technology adopting new and enhanced high voltage structure 1 (E.H.V.S.1). General features ■ State-of-the-art technology: – Diffused collector “Enhanced generation” EHVS1 ■ More stable performances versus operating 文件：189.52 Kbytes 页数：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
1510FX
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Hi Vltg FAST SWITCH PNP Pwr TRANSISTOR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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ISOWATT-218FX |
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ST/意法半导体 |
22+ |
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ISOWATT-218FX-3 |
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