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IXFH14N60P	文件：338.44 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH14N60P	文件：158.35 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ◆Internationalstandardpackages ◆Avalancherated Advantages ◆Easytomount ◆Spacesavings ◆Highpowerdensity Applications: ◆Switched-modeandresonant-modepowersupplies ◆DC-DCConverters ◆LaserDriver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH14N60P	文件：372.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP14N60	文件：295.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=550mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP14N60P	文件：158.35 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiperFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ◆Internationalstandardpackages ◆Avalancherated Advantages ◆Easytomount ◆Spacesavings ◆Highpowerdensity Applications: ◆Switched-modeandresonant-modepowersupplies ◆DC-DCConverters ◆LaserDriver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA14N60P	文件：299.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA14N60P	文件：166.3 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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更多14N60-ML供应商更新时间2025-7-15 11:01:00

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