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Marking：140IFBE；Package：SOT8075-1；650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package 1.Generaldescription TheGAN140-650FBEisageneralpurpose650V,140mΩGalliumNitride(GaN)FETina DFN5mmx6mmsurfacemountpackage.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperior performance. 2.Featuresandbenefits •Enhancementmode-normally-offpowerswitch •Ultra | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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