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12P10	文件：256.079 Kbytes Page：7 Pages	100V P-CHANNEL MOSFET 文件：256.079 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10	文件：270.22 Kbytes Page：6 Pages	9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：270.22 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10	文件：1.89938 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.89938 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
12P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET The 12P10 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable to be used in low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor con • RDS(ON) = 0.29Ω @VGS = -10 V \n• Low capacitance \n• Low gate charge \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified;	UTC 友顺	UTC
12P10_11	文件：270.22 Kbytes Page：6 Pages	9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：270.22 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10_15	文件：205.47 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：205.47 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10_15	文件：289.72 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：289.72 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10G-AA3-R	文件：289.72 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：289.72 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10G-S08-R	文件：289.72 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：289.72 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
12P10G-S08-R	文件：1.28573 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.28573 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

VGS(±V)：
±30
ID(A)：
-9.4
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
290
CISSTYP.(pF)：
500
COSSTYP.(pF)：
160
CRSSTYP.(pF)：
42
QgTYP.(nC)：
18
QgsTYP.(nC)：
3
QgdTYP.(nC)：
6
VGS(th)(V)MIN.：
-2
VGS(th)(V)MAX.：
-4
TrrTYP.(nS)：
95
QrrTYP.(nC)：
700
Package：
SOT-223_SOP-8_TO-251_TO-251S_TO-251S2_TO-251S4_TO-252_TO-252D_TO-263_TO-220

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更多12P10供应商更新时间2026-4-18 11:04:00

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