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1216D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
KFG1216D2A	文件：1.38233 Mbytes Page：114 Pages	FLASH MEMORY 文件：1.38233 Mbytes 页数：114 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KFG1216D2M-DEB	文件：1.21918 Mbytes Page：93 Pages	FLASH MEMORY 文件：1.21918 Mbytes 页数：93 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KFG1216D2M-DED	文件：1.21918 Mbytes Page：93 Pages	FLASH MEMORY 文件：1.21918 Mbytes 页数：93 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS(min)：
-12V
Id at 25℃(max)：
-16A
PD(max)：
18W
Vgs(th)typ(V)：
-1V
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
12.7mΩ
Qg(nC)：
35
Ciss：
2700
Crss：
590

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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