丝印：1120；Package：SOIC；DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

Low rDS(on) . . . 0.18 W at VGS = –10 V 3-V Compatible Requires No External VCC TTL and CMOS Compatible Inputs VGS(th) = –1.5 V Max ESD Protection Up to 2 kV per MIL-STD-883C, Method 3015 description The TPS1120 incorporates two independent p-channel enhancement-mode MOSFETs that have

文件：301.03 Kbytes 页数：17 Pages

TI

德州仪器

丝印：1121；Package：SOT-89；PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

文件：435.33 Kbytes 页数：5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

丝印：1123；Package：VSON；TIOL112 and TIOL112x IO-Link Device Transceivers with Low Residual Voltage and Integrated Surge Protection in Small Packages

文件：2.67462 Mbytes 页数：35 Pages

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