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08055C105KAT2A	文件：209.82 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof2496to2690MHz. Features •Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance •Designedforlowcomplexitylinearizationsystems •Universalbroadbanddriver •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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08055C105KAT2A	文件：131.8 Kbytes Page：4 Pages	X7R Dielectric	AVX AVX Corporation	AVX
08055C105KAT2A	文件：160.55 Kbytes Page：5 Pages	General Specifications	AVX AVX Corporation	AVX
08055C105KAT2A	文件：313.74 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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产品属性

产品编号：
08055C105KAT2A
制造商：
KYOCERA AVX
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±10%
电压 - 额定：
50V
温度系数：
X7R
工作温度：
-55°C ~ 125°C
应用：
通用
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
厚度（最大值）：
0.055"（1.40mm）
描述：
CAP CER 1UF 50V X7R 0805

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